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长电科技“封装结构制作方法和芯片防翘曲装置”专利获授权
来源:半导体芯科技 | 作者:pmtd1d9ca | 发布时间: 146天前 | 195 次浏览 | 分享到:

长电科技“封装结构制作方法和芯片防翘曲装置”专利获授权




天眼查显示,江苏长电科技股份有限公司近日取得一项名为“封装结构制作方法和芯片防翘曲装置”的专利,授权公告号为CN115101434B,授权公告日为2024年12月10日,申请日为2022年7月21日。

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本发明揭示了一种封装结构制作方法和芯片防翘曲装置,所述制作方法包括步骤:提供一测试基板和测试堆叠芯片组,形成测试封装结构;将测试封装结构进行回流焊工艺;测试回流焊工艺后测试封装结构的焊接性能;当所述焊接性能失效时,提供一芯片防翘曲装置和与所述测试封装结构相同的产品封装结构,将产品封装结构固定装载于所述芯片防翘曲装置内,再进行回流焊工艺。能够很有效防止抑制下部芯片在回流焊工艺过程中产生较大程度的翘曲,减小上部芯片和下部芯片之间的焊接失效的风险,改善3D封装焊接质量。