knowMade表示，碳化硅技术专利活动在第一季度依然强劲。
根据技术情报和知识产权战略咨询公司 KnowMade 发布的两项专门针对碳化硅 (SiC) 技术的新专利监测服务——《碳化硅衬底和外延晶片专利监测》和《碳化硅功率器件和模块专利监测》，2026 年第一季度碳化硅 (SiC) 技术的专利活动仍然非常活跃，无论是在衬底和外延晶片的上游，还是在功率器件和模块的下游。
2026年第一季度共发布了460多份新的专利公开文件，其中描述了350多项与碳化硅功率器件和碳化硅功率模块技术开发相关的新发明。排名前15位的知识产权企业贡献了第一季度近50%的知识产权活动，这印证了活跃于碳化硅功率电子领域的领先企业在专利申请方面采取的战略性集中策略。



图 1：2026 年第一季度 SiC 功率器件和模块领域的主要专利申请人。共发现 460 多项专利出版物和 350 多项新发明，其中排名前 15 的知识产权企业贡献了近 50% 的季度知识产权活动。
专利申请的地域分布也凸显了中国在当前碳化硅（SiC）技术专利格局中的核心地位。2026年第一季度，SiC功率器件和模块的专利申请活动主要集中在中国，国家层面的专利申请分析显示，中国新增专利申请达290件，其次是美国、日本、欧洲、韩国和台湾。在前15大专利申请人中，专利申请主要集中在中国、美国和日本。
东芝和英飞凌等外国企业正在积极保护其在中国的专利发明，而包括环球动力科技、比亚迪和吉利安汽车电子在内的中国领先专利申请人则继续专注于国内市场。这证实了中国不仅是碳化硅技术的重要市场，而且也是一个创新和知识产权保护环境日益密集的地区。



图 2：2026 年第一季度 SiC 功率器件和模块专利申请国家/地区。分析显示，中国的专利申请活动十分活跃，其次是美国和日本，这反映出从事 SiC 功率电子领域的公司和研究机构数量众多。
SiC衬底和外延晶片领域强劲的创新动力

2026 年第一季度，SiC 技术价值链的上游部分也出现了显著的专利活动。在 SiC 衬底和外延晶片领域，该季度发布了 320 多份新的专利出版物，描述了近 250 项与 SiC 衬底和外延晶片的技术开发相关的新发明。
排名前12位的知识产权企业贡献了第一季度近40%的知识产权活动，表明专利市场竞争激烈但依然多元化。TankeBlue和Wolfspeed在体硅和裸晶圆领域的知识产权活动方面处于领先地位，而ASM International及其意大利子公司LPE则在碳化硅外延相关的专利申请方面领先，Resonac作为该领域另一家实力雄厚的企业也位居前列。



图 3：2026 年第一季度 SiC 衬底和外延晶片领域的主要专利申请人。共发现 320 多项专利公开和近 250 项新发明，其中 TankeBlue、Wolfspeed、ASM International、LPE 和 Resonac 等公司名列前茅。
碳化硅衬底和外延晶片的地域性专利申请活动也印证了中国在当前碳化硅技术专利领域的强势地位。2026年第一季度，国家层面的专利申请分析显示，中国新增专利申请202件，其次是美国、日本、欧洲、台湾和韩国。在前12大专利申请人中，中国、美国和日本的专利申请尤为集中。



图 4：2026 年第一季度 SiC 衬底和外延晶片专利申请的国家/地区。中国仍然是申请数量最多的国家/地区，这证实了中国在 SiC 上游技术发展和保护方面的核心地位。
瑞森纳克、ASM和东芝等外国企业积极在中国保护其发明，而中国领先的专利申请者则继续重点关注国内市场。这种专利申请行为凸显了中国在碳化硅上游供应链（从体晶体生长到外延生长和晶圆制备）中的战略重要性。