高盛：三星HBM明年看漲44％

工商時報，陳穎芃、方明／綜合外電報導 2026/7/1 上午4:40 190

AI熱潮持續推升全球記憶體需求，高盛最新發布的兩份報告，一方面大幅上修三星電子2027年高頻寬記憶體（HBM）價格預測，認為HBM漲勢仍未結束；另一方面卻同步示警，記憶體產業正面臨HBM供給擴張、中國業者崛起及AI伺服器投資降溫等三大結構性風險，代表市場正從「全面樂觀」逐步轉向審慎看待AI供應鏈的中長期發展。

根據高盛6月DRAM市場情緒調查，截至6月26日為止DRAM市場情緒仍維持「溫和積極」，但現貨價表現遠比市場預期強勁。5月1日以來DDR5現貨價已大漲20％，較5月合約價溢價25％；DDR4現貨價同期也上漲11％，較合約價溢價高達45％。

高盛指出，現貨價通常領先合約市場，代表後續合約價仍有調升空間，因此「當前傳統DRAM現貨價的強勁表現，勢必會在探討明年HBM定價時被納入重要參考。」有鑑於此，高盛將三星2027年HBM價格年增率預測，由原本的14％一口氣大幅上修至44％，認為市場尚未完全反映HBM未來的漲價潛力。

然而，高盛交易員山浦一平（Ippei Yamaura）在另一份報告中提醒，近期科技股重挫反映的並非短期修正，而是AI基礎建設與記憶體供應鏈開始面臨結構性挑戰。

報告指出，第一項風險是HBM供需可能在2027至2028年出現轉折。隨著三星、美光及SK海力士持續大幅擴產，HBM產能將快速增加，市場普遍預期供不應求的溢價可能於該時期見頂，高毛利時代將受到考驗。

第二項風險則是中國記憶體勢力快速崛起。根據《金融時報》報導，蘋果正積極遊說美國政府，希望批准向中國長鑫存儲（CXMT）採購記憶體，以降低成本。若未來政策放行，恐直接衝擊美光等既有DRAM供應商的市場地位，也代表中國業者正逐步挑戰全球記憶體版圖。

第三項風險則來自AI投資熱潮開始降溫。高盛指出，高通正研究降低對HBM依賴，輝達也持續優化記憶體使用效率，下游客戶普遍希望降低記憶體成本。再加上OpenAI近期調降服務價格、傳出IPO可能延後至2027年，使市場再次質疑AI巨額投資何時才能轉化為實際獲利，AI基礎建設擴張速度恐因此放緩。